Tập đoàn điện tử Samsung cho biết đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các loại bộ nhớ flash eUFS mới có dung lượng 512 Gb dành cho điện thoại thông minh thế hệ mới
Các chip của bộ nhớ mới được gọi là eUFS có thể tăng gấp đôi mật độ lưu trữ trong cùng một lượng không gian vật lý truyền thống trước đây.
Trong nhiều năm qua Samsung đã và đang đẩy mạnh việc sản xuất các thiết bị có tên là V-NAND. Đó chính là các khay 3 chiều để làm nơi lưu trữ cho chip nhớ mới này. Bộ nhớ flash được tạo thành từ 8 chip 64 lớp V-NAND và một chip điều khiển làm tăng khả năng lưu trữ của eUFS lên đến 512 Gb. Dung lượng lưu trữ của eUFS đã tăng lên gấp đôi so với các mô hình 48 lớp trước đó. Đây là kỷ lục lưu trữ mới của các điện thoại thông minh. Nên nhớ, bộ nhớ lớn nhất của các điện thoại điện thông minh ngày nay cũng chỉ là 126 hoặc 256 Gb.
Hiện tại, Samsung cũng đang cho khách hàng dùng thử eUFS bằng cách lưu trữ khoảng 1.300 phút các video 4D trên một thiết bị có chứa eUFS. Dung lượng này gấp 10 lần so với chiếc Samsung Galaxy S8 đời mới.
Được biết eUFS cũng có khả năng đọc nhanh hơn và ghi nhanh hơn. Tốc độ đọc của nó lên đến 860 Mb/s và tốc độ ghi đạt 255 Mb/s. Điều này có nghĩa là một tập tin video 5Gb có thể chuyển sang ổ SSD chỉ trong khoảng 6 giây. Rõ ràng đây là con số vô cùng ấn tượng và là mong ước của rất nhiều tín đồ công nghệ thông tin.
Bên cạnh đó, Samsung cũng phát triển công nghệ quản lý năng lượng trong thiết bị mới này. Qua đó giúp người dùng tiết kiệm tối đa kinh phí.
Mặc dù chưa tiết lộ mức giá cho eUFS nhưng đột phá mới của Samsung đã mở ra một cuộc cạnh tranh mới trong cuộc đua số của các hãng sản xuất điện thoại thông minh nhằm thỏa mãn nhu cầu không biên giới của người tiêu dùng.
Nhật Minh